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電源部培訓(xùn)電源模塊T2理論課考核試題 1024
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1.電容器的基本功能是（）。
A.儲(chǔ)存電荷
B.儲(chǔ)存感量
C.儲(chǔ)存電流
D.儲(chǔ)存電壓
2.電容器A的電容比電容器B的電容值大，這表明（）。
A.A所帶的電荷比B多
B.A比B有更大容納電荷的本領(lǐng)
C.A的體積比B大
D.A的耐壓比B大
3.分別計(jì)算出C1與C2兩顆電容并聯(lián)與串聯(lián)的容值，下列算法正確的是（）
A.1/(C1+C2)與C1+C2
B.C1+C2與1/(C1+C2)
C.C1+C2與1/C1+C2
D.C1+C2與C1+1/C2
4.電感器的主要作用有（）
A.濾波
B.儲(chǔ)能
C.諧振
D.電路匹配
5.下列哪種因素不會(huì)影響電感器的電感值（）
A.線圈匝數(shù)
B.線圈直徑
C.線圈長(zhǎng)度
D.線圈材料
6.下列不是電感器的參數(shù)的是（）
A.Idc
B.Rdc
C.DCR
D.SRF
7.功率N-Channel MOSFET的導(dǎo)通條件,下列描述正確的為（）
A.GS電壓達(dá)到VGS(th)電壓值
B.D極電壓為高電平
C.G極為低電平
D.G極為高電平
8.滿足P-Channel功率MOSFET導(dǎo)通條件,下列描述正確的為（）
A.D極為高電平
B.G極為高電平
C.G極為低電平
D.S極為高電平
9.下列為功率MOSFET內(nèi)部參數(shù)的有（）
A.Ciss
B.Coss
C.Crss
D.RDS(on)
10.電源IC芯片DC-DC開關(guān)電路中常用的電路有（）
A.BUCK
B.BOOST
C.BUCK-BOOST
D.Linear
11.我們常用的PC主板CPU核心VCORE供電電路，選用如下哪種供電方式（）
A.BUCK
B.BOOST
C.BUCK-BOOST
D.Linear
12.我們常用的筆記本LED背光電路，選用如下哪種供電方式（）
A.BUCK
B.BOOST
C.BUCK-BOOST
D.Linear
13.選擇某個(gè)POWER IC電源方案需要考慮IC哪些方面( )。
A.輸出功耗及設(shè)計(jì)要求
B.工作效率及可靠性
C.封裝及方案優(yōu)勢(shì)
D.相關(guān)規(guī)范要求
14.選擇輸入電容需要考慮哪些方面（）。
A.容值
B.耐壓值
C.紋波電流
D.DCR
15.選擇輸入電感需要考慮哪些方面( )。
A.感值
B.飽和電流
C.DCR
D.溫升
16.選擇High side MOSFET開關(guān)管需要考慮哪些方面（）。
A.QG值
B.VDS電壓
C.RDS(ON)
D.溫升
17.（多選）下列關(guān)于Low side MOSFET開關(guān)管的應(yīng)用的建議選擇，正確的有（）。
A.選擇QG大一點(diǎn)的
B.VGS門檻電壓大一點(diǎn)的
C.RDS(ON)大一點(diǎn)的
D.VGS門檻電壓小一點(diǎn)的
18.選擇High/Low side MOSFET開關(guān)管搭配時(shí)，需要考慮哪些方面（）。
A.同一廠商物料
B.VGS(th)值盡量一致物料
C.VDS電壓值一致物料
D.隨意搭配
19.選擇輸出電感需要考慮哪些方面( )。
A.輸入與輸出電壓
B.負(fù)載電流
C.開關(guān)頻率
D.電壓輸出紋波
20.（多選）選擇輸出電容需要考慮哪些方面（）。
A.容值
B.耐壓值
C.紋波電壓
D.ESR
21.（多選）選擇輸出MLCC電容時(shí)，考慮到容值公差問題，建議盡量不要選擇以下哪種材質(zhì)電容（）。
A. X7R
B.X5R
C. Y5V
D. NP0
22.(多選）關(guān)于電源方案物料選型，應(yīng)做到如下幾點(diǎn)（）。
A.選擇通用物料
B.選擇昂貴物料
C.選擇與產(chǎn)品規(guī)格相符物料
D.在符合設(shè)計(jì)要求情況下,盡量選擇較小封裝物料
23.繪制電源原理圖建議零件庫應(yīng)選擇Capture軟體的File-New如下哪個(gè)選項(xiàng)( )。
A.Project
B.Design
C.Library
D.Text
24.如下代表零件封裝含義的英文名稱為( )。
A.Description
B.Part Number
C.PCB Footprint
D.Package Type
25.如下代表零件料號(hào)含義的英文名稱為（）。
A. Description
B.Part Number
C.PCB Footprint
D.Package Type
26.如下代表零件描述含義的英文名稱為（）。
A. Description
B.Part Number
C.PCB Footprint
D.Package Type
27.如下代表零件封裝形式含義的英文名稱為（）。
A. Description
B.Part Number
C.PCB Footprint
D.Package Type
28.如下代表零件位號(hào)含義的英文名稱為（）。
A.Value
B.Part Number
C.Part Refrence
D.Package Type
29.繪制電源原理圖應(yīng)注意哪些方面問題( )。
A.POWER不要與GND信號(hào)相連接
B.分頁信號(hào)使用分頁符連接
C.懸空腳位放置no connect
D.NET網(wǎng)絡(luò)名稱不要有空格
30.有關(guān)PWM開關(guān)電源Layout(輸入電容部分)注意事項(xiàng)，如下正確有（）。
A.Vin Copper盡可能大
B.電容靠近MOSFET擺放
C.電容遠(yuǎn)離MOSFET擺放
D.每一相有獨(dú)立的Input bulk
31.有關(guān)PWM開關(guān)電源Layout(MOSFET部分)注意事項(xiàng)，如下正確有（）。
A.MOSFET靠近輸出電容擺放
B.MOSFET靠近輸出電感擺放
C.MOSFET靠近輸入電容擺放
D.要有足夠的VIN及GND換層VIA孔
32.有關(guān)PWM開關(guān)電源Layout(SVID信號(hào)部分)注意事項(xiàng)，如下正確有（）。
A.走差分線，ALERT走中間
B.避開干擾源，包地處理
C.增加換層
D.減少換層
33.下列為開關(guān)MOSFET信號(hào)的測(cè)試項(xiàng)有( )。
A.Ringback
B.Spike＆Jitter
C.Deadtime
D.VOUT
34.下列為VOUT輸出信號(hào)的測(cè)試項(xiàng)有（）。
A.Ripple
B.Deadtime
C.Noise
D.Transient
35.下列有關(guān)Deadtime信號(hào)的判定正確的為（）。
A. MOSFET開關(guān)低于VGS(th)最小電壓的時(shí)間大于10ns。
B. MOSFET開關(guān)低于VGS(th)最大電壓的時(shí)間大于10ns。
C. MOSFET開關(guān)低于VGS(th)最小電壓的時(shí)間小于10ns。
D. MOSFET開關(guān)低于VGS(th)最大電壓的時(shí)間小于10ns。
36.下列有關(guān)Ringback信號(hào)的判定正確的為（）。
A.Low side MOSFET關(guān)斷后高于VGS(th)最小電壓的時(shí)間大于td(on)時(shí)間。
B. Low side MOSFET關(guān)斷后高于VGS(th)最小電壓的時(shí)間小于td(on)時(shí)間。
C. Low side MOSFET關(guān)斷后低于VGS(th)最小電壓的時(shí)間小于td(on)時(shí)間。
D. Low side MOSFET關(guān)斷后低于VGS(th)最小電壓的時(shí)間大于td(on)時(shí)間。
37.一般遇到Phase Spike信號(hào)異常時(shí)會(huì)選擇調(diào)試什么地方（）。
A.High side MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻
B. Low side MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻
C. Low side MOSFET GS電容
D. Snubber RC。
38.一般遇到Deadtime信號(hào)異常時(shí)會(huì)選擇調(diào)試什么地方（）。
A. High side MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻
B. Low side MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻
C. Low side MOSFET GS電容
D. Snubber RC。
39.一般遇到Ringback信號(hào)異常時(shí)會(huì)選擇調(diào)試什么地方（）。
A. High side MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻
B. Low side MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻
C. Low side MOSFET GS電容
D. Snubber RC。
40.進(jìn)行模擬主控電源方案VRHOT溫度調(diào)試時(shí)，需要調(diào)節(jié)到什么地方（）。
A.TSEN線路NTC電阻
B. TSEN線路普通電阻
C. VRHOT線路電阻
D. IMON線路電阻
41.進(jìn)行數(shù)字主控電源方案VRHOT溫度調(diào)試時(shí)，需要調(diào)節(jié)到什么地方（）。
A. TEMP線路電阻
B. TEMP線路電容
C.IMON線路電阻
D. 芯片寄存器OTP溫度參數(shù)
42.進(jìn)行外掛VRHOT控制LM393電路溫度調(diào)試時(shí)，需要調(diào)節(jié)到什么地方（）。
A.Inx-電路上拉NTC電阻
B. Inx+電路上拉電阻
C. Inx-電路下拉普通電阻
D. Inx+電路下拉電阻
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